• 供應(yīng) RA08H1317M
  • 價(jià)格:面議
  • 品牌:MITSUBISHI
  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
  • RA08H1317M是8-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt,在135-工作的移動(dòng)收音機(jī)175-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進(jìn)入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號(hào)衰減的RF高達(dá)60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓上升.與周圍2.5V(最低),輸出功率和電壓門漏電流大幅增加.額定輸出功率變

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    RA08H1317M是8-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt,在135-工作的移動(dòng)收音機(jī)175-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進(jìn)入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號(hào)衰減的RF高達(dá)60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓上升.與周圍2.5V(最低),輸出功率和電壓門漏電流大幅增加.額定輸出功率變?cè)?V(典型值)和3.5V(最大)提供.在VGG=3.5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性頻調(diào)制,但可能也可用于線性調(diào)制通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率.
    特征
    •增強(qiáng)型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
    • Pout>8W @ VDD=12.5V, VGG=3.5V, Pin=20mW
    ηT>40% @ Pout=8W (VGG控制),VDD=12.5V, Pin=20mW
    •寬帶頻率范圍:135-175MHz
    •低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=3.5V
    •模塊尺寸:30 x 10 x 5.4 mm
    •線性操作有可能通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率
    •RA08H1317M-101是RoHS兼容產(chǎn)品.
    •RoHS遵守表明該地段后由信“G”扣分
    廠商資料
    三菱射頻模塊及功率管,Honeywell全系列傳感器和變送器,日本科索電源模塊,微波射頻器件等。
    廠商動(dòng)態(tài)
     
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