RA08H1317M是8-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在135-工作的移動(dòng)收音機(jī)175-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強(qiáng)型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進(jìn)入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號(hào)衰減的RF高達(dá)60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓上升.與周圍2.5V（最低），輸出功率和電壓門漏電流大幅增加.額定輸出功率變?cè)?V（典型值）和3.5V（最大）提供.在VGG=3.5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性頻調(diào)制，但可能也可用于線性調(diào)制通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率.
特征
•增強(qiáng)型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
• Pout>8W @ VDD=12.5V, VGG=3.5V, Pin=20mW
•ηT>40% @ Pout=8W (VGG控制），VDD=12.5V, Pin=20mW
•寬帶頻率范圍：135-175MHz
•低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=3.5V
•模塊尺寸：30 x 10 x 5.4 mm
•線性操作有可能通過設(shè)置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率
•RA08H1317M-101是RoHS兼容產(chǎn)品.
•RoHS遵守表明該地段后由信“G”扣分
