• 供應 RA18H1213G
  • 價格:面議
  • 品牌:MITSUBISHI
  • 產(chǎn)品簡介:
  • RA18H1213G是18-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在1.24-1.30-GHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓上升.與周圍4V(最低),輸出功率和電壓門漏電流大幅增加.額定輸出功率變在4.5

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    RA18H1213G是18-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在1.24-1.30-GHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓上升.與周圍4V(最低),輸出功率和電壓門漏電流大幅增加.額定輸出功率變在4.5V(典型值)和5V(最大)提供.在VGG=5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調頻調制,但可能也可用于線性調制通過設置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制輸入功率.
    特征
    •增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V)
    • Pout>18W,ηT>20% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=200mW
    •寬帶頻率范圍:1.24-1.30GHz
    •低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V
    •模塊尺寸:66 x 21 x 9.88 mm
    •線性操作有可能通過設置靜態(tài)漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率
    廠商資料
    三菱射頻模塊及功率管,Honeywell全系列傳感器和變送器,日本科索電源模塊,微波射頻器件等。
    廠商動態(tài)
     
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