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該RA30H2127M是30-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在210-經營移動收音機270-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進排水=0V),只是一個很小的泄漏電流與輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著gate voltage around 4V (minimum), output power a

該RA07H3340M是7-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt便攜式/ 330-運作，在移動無線電400-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進排水=0V),只是一個很小的泄漏電流與輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著柵極電壓約2.5V（最低），輸出功率和漏目前

RA55H3340M是55-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在330-400-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進入=0V),只有一小漏電流漏極和RF衰減輸入信號的最高60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓增加.與周圍4V柵極電壓（最小），輸出功率和漏電流大幅增加.標稱輸出功率變在4.5

RA13H3340M是13-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在330-經營移動收音機400-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進排水=0V),只是一個很小的泄漏電流與輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著gate voltage around 4V (minimum), output power and

RA07H0608M是7-watt RF的MOSFET放大器模塊為12.5-volt，在68-合作，88-MHz范圍內的行動收音機.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進排水=0V),只是一個很小的泄漏電流與輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著gate voltage around 4V (minimum), output power an

RA35H1516M是40-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在154-162-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓上升.與周圍4V（最低），輸出功率和電壓門漏電流大幅增加.額定輸出功率變在4.5V

CC1101TR4S是集FSK/ASK/OOK/MSK.調制方式于一體的收發模塊。它提供擴展硬件支持實現信息包處理、數據緩沖、群發信息、空閑信道評估、鏈接質量指示和無線喚醒。它可以應用在315/433/868/915MHz ISM/SRD 頻段的系統中

CC1101TR4是集FSK/ASK/OOK/MSK.調制方式于一體的收發模塊。它提供擴展硬件支持實現信息包處理、數據緩沖、群發信息、空閑信道評估、鏈接質量指示和無線喚醒。它可以應用在315/433/868/915MHz ISM/SRD 頻段的系統中，

D60462 WAY COMBINER/DIVIDER二路公分器/合路器Frequency: 1.5 – 30 MHzPower: 10,000 W CWWerlatone

1. 輸入頻率：128.8±3MHz2. 倍頻因子：128（*4+*4+*4+*2）3. 輸入功率：+10dBm4. 輸出功率：≥6dBm，帶內幅度不平度≤±0.75dB5. 雜散（非線性抑制）：≤-80dBc，諧波抑制≤-50dBc6. 相位噪聲：在晶體輸入頻率￡（f

PREMO為西班牙及歐洲知名的電感元器件制造商，并成為多個不同行業內的著名企業的全球最大供貨商。其中為汽車電子領域中的：無鑰匙開鎖系統（KPE）及汽車胎壓檢測所提供的RFID天線產品，是全球領導者之一。

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